La smentita di TSMC e le fonti dell'indiscrezione

TSMC ha smentito il rapporto secondo cui sarebbe al lavoro su una memoria DRAM tridimensionale su richiesta del cliente NVIDIA. Il quotidiano tecnologico cinese IT之家 riferisce che l'azienda ha risposto a Tom's Hardware rivendicando la propria identità di fornitore di servizi di fonderia per circuiti integrati specializzati, con il compito di essere un partner affidabile dell'industria logica globale per tecnologia e capacità produttiva.

La notizia era stata diffusa da The Information, che citava due persone a conoscenza del progetto. Secondo questa versione, TSMC avrebbe avviato i piani per la produzione di 3D DRAM dopo una richiesta del suo maggiore cliente, NVIDIA, con supervisione attribuita al vicepresidente Hsu Kuo-jin, responsabile del packaging avanzato e in passato a capo dell'attività taiwanese di Micron. Sono affermazioni riportate da una fonte che TSMC non ha confermato: la smentita riguarda il progetto nel suo complesso, non singoli dettagli.

Perché la memoria pesa sull'AI e perché la 3D DRAM non è una soluzione rapida

Il contesto descritto da IT之家 è una carenza globale di memoria che, con la domanda crescente di hardware per l'intelligenza artificiale, spinge i prezzi verso l'alto. La memoria, si legge, sta passando da prodotto standard a risorsa strategica, capace di condizionare la puntualità delle consegne ai clienti. È questo il motivo per cui una mossa di TSMC sul fronte DRAM avrebbe un peso notevole nella catena di fornitura dell'AI.

Tuttavia, il materiale ribadisce che TSMC non dispone delle competenze e delle capacità produttive necessarie per fabbricare DRAM, men che meno in versione tridimensionale, pur collaborando con i produttori di memoria e integrando i chip di memoria nei system-in-package per i clienti. La 3D DRAM, che impila verticalmente le celle per aumentare la densità per wafer, è ancora in fase iniziale: secondo la roadmap di Micron, citata nella ricostruzione, serviranno almeno quattro generazioni di DRAM planare prima di arrivarci, e anche i tre grandi produttori mondiali hanno progetti in corso ma nessuna produzione di massa. Da qui una conseguenza esplicitamente indicata: anche se TSMC procedesse, la mossa non allevierebbe la scarsità attuale per almeno cinque anni.

Lo stesso materiale elenca le difficoltà di un eventuale ingresso: senza una base competitiva nella DRAM planare è quasi impossibile sviluppare un processo 3D maturo, e l'alternativa di acquisire un piccolo produttore con fabbrica propria richiederebbe comunque miliardi di investimenti e anni di ricerca. Si aggiungono i rischi del ciclo della memoria, con possibili eccessi di capacità e cali di prezzo, e le complicazioni nei rapporti con i grandi produttori, in particolare SK hynix, che nel 2024 ha stretto con TSMC una collaborazione per la produzione di chip logici di base per le future HBM. Il testo menziona anche possibili verifiche antitrust per un'integrazione verticale tra logica, packaging e memoria.

Un percorso alternativo indicato dalla fonte non richiede la fabbricazione di DRAM: produrre chip logici di base per le HBM, integrare memoria e processore con la tecnologia di bonding ibrido SoIC e collaborare con GUC e produttori di memoria per soluzioni personalizzate. Resta da verificare l'esistenza e lo stato del progetto riferito da The Information, che TSMC nega.

Fonte e attribuzione: questa sintesi originale è stata redatta da AICronaca sulla base del resoconto di IT之家 ↗. Le dichiarazioni sono attribuite alla fonte; eventuali limiti informativi: Il materiale si basa su un rapporto di The Information ripreso da IT之家 e sulla smentita di TSMC riportata da Tom's Hardware: non sono disponibili conferme indipendenti né dettagli verificati sul presunto progetto. Le valutazioni su costi, tempi e rischi provengono dalla ricostruzione della fonte e non da dichiarazioni ufficiali dell'azienda..